10月31日,安森美(onsemi)宣布推出垂直氮化镓(vGaN)功率半导体。据介绍,对于超高压器件,安森美的垂直氮化镓(vGaN)采用GaN-on-GaN技术,使电流能够垂直流过芯片,而不是沿表面横向流动。,这一方案降低能量损耗和热量,损耗减少近50%。目前安森美向早期客户提供700V和1200V器件样品。
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